单元电路简介
    BM采用驻极体话筒，其电声性能优良，需对内置场效应晶体管提供工作电压。图1中R1、RP1、C1组成话筒供电电路。C1为滤波电容；调节RP1可改变话筒拾音灵敏度。
    VT1、VT2构成直接耦合、复合偏置、深度负反馈话筒放大器。这种电路结构，工作点稳定、低频响应好、电路简单、调试方便。R2是VT1的集电极负载电阻，同时又为VT2提供基极偏置；R3、R6分别是VT1、VT2的发射极串联电流负反馈电阻，R4跨接在VT1基极及VT2发射极之间，既是并联负反馈电阻，又为VT1提供直流偏置。C4用来防止放大器自激，C3可抑制高频噪音。C5为低频信号提供通路。
    经两级放大的音频信号直接耦合到由VT3、T构成的消侧音电路。在VT3的射极回路中接有消侧音变压器T的初级线圈，C6为高频旁路电容。射随电路输出阻抗低，输入阻抗高，且信噪比高，同时消侧音较为彻底。“侧音” 是指在双工通话时，本方的受话器(扬声器或耳机)中，听到自己的声音，这种声音形成电声反馈，就会干扰正常的通话。因而在电话电路中，应尽量减少侧音干扰。与之相应的电路称为消侧音电路。图2是本文消侧音电路的等效电路，射随器相当于一个低内阻的信号源，设该信号源为正弦波交流信号，经电磁耦合，在T的次级产生大小相等，相位相反的两个正弦波信号，这两个信号加在负载电位器RP2的两端，调节RP2的动端A，使其正弦波在A点的合成输出为零。这样，加在T初级的信号就不能由A端进入到本方的功率放大电路。而只能经耦合电容C7向对方输送。同理，由对方消侧音电路送来的信号就可经A端进入本方的功率放大电路。
 
    功率放大器IC1是一个可单电源供电的小功率功放集成电路LM386，电源电压为9V时，可给8Ω负载提供250mW 的功率。RP3为音量控制电位器，接入R7、C11可以改变输出频率特性。扬声器BL与振铃电路公用，由开关s1-2控制。
    本机为直流供电方式，在有交流电的地区，应尽量改为交/直流适配器供电。话筒电路、话筒放大器、消侧音电路由R11、VD1、C15、C16构成的稳压电路供电。
    R10、VD2组成通话指示灯电路，“挂机”时VD2应熄灭.“摘机”时应发光，目的是直观地显示对讲机的工作状态。

元器件选择与调试
    本机选用通用性元器件：VT1～VT4为β=40-60的NPN小功率三极管；电阻可选0.25W 的各类型均可；电容C7的耐压应为交流600V以上，其余的耐压大于16V就行了。消侧音变压器T可用晶体管收音机用的推挽输出变压器，初、次级反过来使用，负载阻抗8Ω，初、次级比为2×3:1的最好，亦可自己绕制；开关S1为2×2的拨动开关，或电话机专用叉簧开关。
    调试时，取VT1的集电极电流为0.6～1mA，VT2的Ic2=0.8～2mA，改变R4可调整放大器的总增益，但R4过大将会使VT1截止。
    消侧音电路的调试稍复杂一点，在T的原边加入0.5Vp-p的音频信号，将功放音量调至最大，调节RP2使功放输出越小越好。