单结晶体管是具有—个PN结(单结)的半导体器件，它有三个电极，即一个发射极和两个基极，所以又称为双基被二极管，通常用UJT表示。它是一种电流控制型负阻电子器件，即加到它两端的电压增加时，流过器件的电流反而减小，这一特点同可控硅(晶闸管)相同。因此在电子设备中得到广泛的应用。国产单结晶体管的型号有BT31~BT37。

　　单结晶体管的外形和内部结构示意图如图1所示。在N型硅片的左端，发射极(铝棒)与硅片间构成PN结，在右边引出两个电极，分别为第—基极b1和第二基极b2，一般PN结距离第二基极b2略近些，在测试时可作为参考。

图1　单结晶体管的外形和内部结构示意图

　　单结晶体管的电路符号和等效电路如图2所示。发射极的箭头倾斜指向b1，表示PN结电流只流向b1，两个基极引出线b1，b2相对于基极成直角，表示两条引出线同基极是欧姆接触。两个基极b1与b2之间呈现纯电阻性，称为基极电阻Rbb(＝Rb1十Rb2，其阻值范围在2~15kΩ之间。其中Rb1构第—基极与发射极之间的电阻，其数值随发射极电流Io而变化，即管子导通进入负阻区后，Io越大Rb1越小．所示图中用可变电阻表示。Rb2为第二基极与发射极之间的电阻．其数值与Io无关。发射结具有整流特性．用二极管等效之。

图2　单结晶体管的电路符号和等效电路

　　单结晶体管的伏安特性曲线如图3所示，由图可知，单结晶体管有三种工作区域（状态），即截止区、负阻区和饱和区，单结管通常工作子负阻区，我们希望此区城范围越宽越好。

图3　单结晶体管的伏安特性曲线

　　单结晶体管的应用场合：由于单结晶体管具备负阻特性，其内部结构简单，热稳定性好．并且具有稳定的触发电压和极小的触发电流，被广泛用于现代电子设备中，如用于电视机中的场振荡器，作为振荡管使用。还用于可控硅的触发电路、锯齿波发生器、阶梯波发生器、单稳、双稳及延时继电器。还大量用于自动控制、脉冲和数字等电路中。另外，单结管还可用来代替损坏的双向二极管。在使用单结管时，其外加直流电源的连接方法是：电源正极接b2、负极接b1。