VMOS功率场管的外形和内部结构示意图如图1所示，图1(b)为P沟道VMOS管栅极做成V形槽状，使得栅极表面和氧化膜表面的面积较大，有利于大电流控制，栅极仍然与漏、源极是绝缘的，因此VMOS管也是绝缘栅场效应管。漏极D从芯片上引出。与MOS管比较，—是源极与两极的面积大，二是垂直导电(Mos管是沿表面水平导电)，二者决定了VMOS管的漏极电流ID比MOS管大。电流ID的流向为：从重掺杂M+型区源极出发，通过P沟道进入轻掺杂N-漂移区，然后到达漏极。这种管于的耐压高、功率大，被广泛用于放大器、开关电源和逆变器中，使用时要注意加装散热器，以免烧杯管子。

图1　VMOS功率场效应管外形及内部结构示意图