绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗(可达10¹²Ω以上)，并且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化。绝缘栅场效应管也分为N沟道管和P沟道管，每种沟道的管子其导电方式又分为耗尽型和增强型两种。下以N沟道增强型场效应管为重点介绍MOS管的结构原理。

　　如图1所示，N沟道MOS管是以P型硅为衬底，在其表面制成两个高掺杂浓度的扩散区N+，并从N+型区上分别引出两根线．一是漏极D，一是源极S。通常态管子内部已将源极与P型衬底连在一起。在两个扩散区之间硅片表面有一层很薄的二氧化硅绝缘膜，其上的金属板作为管子的栅极引出，可见，栅极是与漏、源极相绝缘的，故而得名为绝缘栅场效应管。由结构可知，两个扩散区中间隔着P型区，如果只是给漏源极加上正向工作电压而栅极电压V_GS＝0时，便不会有漏极电流I_D（只有很小的PN结反向电流)流通，管于处于截止状态。如果在栅极加上正向电压时，就会在栅极下表面产生一个电场，这个电场把P型硅内的电子吸引到表面上来，在两个扩散区N+之间感应出带负电的电子载流子，即在P型硅表面形成了可导电的反型层，这个反型层成为导电沟道，称为N沟道，它把漏极和源极连接起来。这时在漏极加上电压V_DS，并使V_GS大于管子的开启电压V_T（约+2V左右）时，就会有电沉流过N沟道，管于便处于导通状态。

图1　N沟道增强型MOS场效应管的内部结构

　　当V_GS继续增大时，沟道(反型层)中的电子数目也增多，沟道的电阻随之减小，管子的导通程度增强，即I_D增加。相反，若使V_GS减小时，I_D也减小。如图2所示为漏源极电压V_DS一定时I_D随V_GS变化的转移特性关系曲线。由图2(a)可知，这种管子当V_GS<V_T时，管子栅极下面导电沟道消失，管于截止，ID＝0，当V_GS > V_T时，管子栅极下面便形成导电沟道，管于导通，并且I_D随V_GS的增大而增大，我们把这种管子叫做增强型则MOS场效应管。

图2　N沟道增强型和耗尽型MOS管转移特性曲线