在修理家电中，有时因晶体管不便焊下来，有时为了节省时间，往往喜欢直接在电路板上测试晶体管性能的好坏。测试方法如下：

　　(1)静态测量法。即不加电测量，万用表置欧姆档。因晶体管的偏置电阻和负载电阻一般在千欧级，很少几十欧的，所以为了减小外电路对测试结果的影响，以提高测试的准确性，万用表应置于低阻挡。因在路晶体管的电极已在印刷板上标明，不必再测，只测量晶体管两个PN结的正反向电阻加以判断即可。以PNP型晶体管为例，先测发射结正反向电阻，如果测很正向电阻在30欧左右，而反向电阻在数百欧以上。说明该管发射结是良好的；再测集电结正反向电阻，如果与测试发射结的结果相接近，也说明该管集电结良好，并且作为粗略测量，由此可以断定该被测晶体管性能是良好的，可以继续使用；如果测得正反向电阻很接近(较大或很小)，就说明该管可能有问题，电阻较大时可能是PN结开路损坏，很小时可能PN结击穿短路。对此应将晶体管从电路板上焊下来作进一步的精确测量。测量NPN型晶体管的方法与测量PNP型管相似，只是应交换表笔，其正反向阻值略为一些属于正常象。

　　(2)动态测量法，即加电测量。加电测量不适合高电压下工作的晶体管。下面以NPN型硅管为例，前提是已确知偏置电路无故障。测试内容：一是测晶体管发射结的正向电压（即正向特性）Ube，，万用表拨在直流2.5V档，如果测得Ube为0.7V左右，就说明该管基本是好的，可以使用，如果此电压偏离正常值太多，说明该管可能有问题，需焊下再行测量。二是测试晶体管的放大能力，万用表仍放在直流电压挡，但挡位的高低应根据管子集电极电压大小确定，将红表笔靠在集电极焊点上，黑表笔靠发射极点上，用镊子瞬间将基极与发射极（或基极与地）短路一下，注意现象表头指针的摆动情况，如果摆动较大，即管子的集电极电压变化大，说明该晶体管是好的，我们希望此值变化越大越好，越大说明管子放大能力强；如果指针摆动幅度很，说明管子有问题，需焊下测量或代换掉。

　　晶体管的反向击穿电压主（Uceo、Ucbo、Uebo）是重要的参数，特别是对于高耐压晶体管（如行管、视放管）更为重要，但考虑到一般维修人员测试条件有限，并且在维修中其主要精力都用在分析和排除故障上面，实际　不可能对晶体管作全面的测试，也没有必要，一般只作如前所述的简单测量后即上机使用，因此这里不再介绍测量反向击穿电压的方法。