注：此文以指针式万用表为例，若您使用的是数字是万用表，注意红黑表笔是相反的（因与内电池的连接是相反的）
MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。
在测试MOS管之前请特别要注意：因为MOS场效应管最容易发生烧段(自焚)，比如购买时是好的，但用时你会发现管于烧坏了，真是莫名其妙。其实道理很简单，一是它的绝缘电阻(即输入电阻)相当的高，可达1012Ω配以上；其二是栅极与衬底间形成的电容器(二氧化硅作介质），其容量双非常地小，如果栅极感应而携带少量正电荷时，就很难泄放掉，这少量的电荷储存在非常小的电容器上，将在栅极上产生很高的电压VGS（＝VC＝Q/C，便会出穿二氧化硅层，即烧坏管子。—船只要栅极电压大于50V时，管子就有被烧坏的危险。MOS管是非常“娇气”的。有鉴于此，通常MOS管生产出来后都要把各脚绞台在一起，或存放在金属箔里，使VGS＝0，避免积累电荷。在测试时更重要倍加小心，防止栅极上产很高的感应电压。建议测试时，先用—根裸导线—端缠在手腕上，另—端与大地相连，这样便将人体对地短路，然后取出MOS管，将管脚分开或拆掉短路线，如果未将人体短路到地，最好不要用手去接触管脚，取管于时只准拿管子外壳。
1、判断MOS管的管脚极性
由于MOS管的栅极与漏、源极间是绝缘的，根据这—特点就可首先找出栅极来。万用表置R×100档，假定某脚为“栅极”，用黑表笔与它相连，再用红表笔分别去碰另外两脚，若两次测得的阻值均为无穷大，且交换表笔测量也一样时．就说明假定“栅极”为真正的栅极G。
需说明的是：上述测量方法和结果若是对耗尽型MOS管肯定是正确的，但若是测量增强型MOS管就不一定准确了。我们知道，增强型Mos管在静态时,不仅栅极与漏、派极间是绝缘的．而且因无导电沟道(耗尽型本身则有)其漏、源极之间的电阻也是相当大的，按上述测量就会误把漏极或源极判为栅极了。因此．无论测试耗尽型还是增强型，均应作进一步的检验。检验方法是：找到栅极后，再将两表笔分别接到漏、源极，让栅极悬空，如果指针有轻微摆动就证明测试结果是正确的，如果没有摆动，必须重新假定“栅极”进行测量。
最后判断漏极D和源极S，对于耗尽型MOS管，找到栅极G后，用红、黑表笔测漏极和源极间电阻．其阻值在几百欧到几于欧范围内，并且正、反向电阻略有差别，以阻值略小的那次为准，黑表笔接的是漏极D，红表笔接的便是源极S。另外，有些MOS管的源极S与外壳是连在一起的，如日本产3SK系列管，更容易判别出S极。对于增强型MOS管来说，应给栅极加上合适感应信号，才能调试判别出漏、源极和泥源吸间电阻值。
测试结束后，还应将管脚绞合在—起．或放在金属箔中，及时泄放掉栅极上的电荷。
2、判断MOS管的好坏
判断方法定一：万用表置R×100档．测试各电极之间的电阻。对于耗尽型MOS管，若测得G—D、G—S间正反向电阻为无穷大，说明绝缘良好，管子正常可用，如果阻值较小，说明氧化膜已击穿损坏，管子不能用；测D—S间电阻在几百欧至几千欧为正常，如果阻值很大或很小，说明漏、源极间开路或击穿短路，管子已坏。对于增强型MOS管，在确定栅极无感应电压的情况下，测G－D、G—S、D—S间的正反向电阻均是无穷大为正常，如果阻值较小为管子坏；让栅极悬空，表笔按D、S极，若指针有摆动为正常。
判断力法之二：以N沟道MOS管(耗尽型和增强型)为例。如图1(a)连接好线路，然后万用表置R×100档，黑表笔接D、红表笔接S，给管子漏极加上正向工作电压。如图1(b)所示．观察表头指示．对于耗尽型MOS替，RDS应在几百欧至几千欧之间，对于增强型MOS管应为无穷大，就证明管子是好的。然后用短路线跨接在R1上端与漏极之间，如图1(c)所示，这时无论耗尽型还是增强型MOS瞥，正常时电阻值都应该发生变化(减小)。若再反复多次地接上和取下短路线，应看到指针向左或向右偏转，如果偏转的幅度越大，表明栅极的控制能力越强。管子的性能优良．可以使用。对于P沟道MOS管交换表笔测试判断。
图1 判断N沟道MOS好坏
3、测量MOS管的放大能力(跨导)
判断方法之一：如图2所示，以N沟道MOS管为例．万用表置R×100档．黑表笔接D极，红表笔接S极，让G极悬空，然后用手指去模一下G极，无论是耗尽型管还是增强型管，如果指针有较大的偏转，说明管于有放大作用；如果用手捏住G极，表针偏转幅度越大，说明管子的放大能力越强。反之，如果指针摆动较小或不摆动，说明MOS管的放大能力弱或已损坏。
图2 测量MOS管的放大能力
测量原理：如图3所示，当用手指模或捏栅极时，手(未按地)上的正电荷把栅极上的电子吸引到栅极引线的端头，在栅极的金属板上留下了正电荷，经过静电感应便在P型村底表面上产生了负电荷而形成很高的电压，即形成了N导电沟道，使D－S极电阻减小，所以万用表指针发生了偏转。
图3 N沟道MOS管栅极产生感应电荷示意图
判断方法之三：这是—种更为安全慎重的方法，测试电路仍如图3不变，用塑料棒或者钢笔套的塑料部分，在化纤(或丝绸、绵布)衣裤和头皮上摩擦后，由远到近地向MOS管栅极G移动，正常的管子，万用表指针会发生偏转，而且距离越近，指针伯转幅度越大，说明管于的放大能力较强，判断原理同上。但千万不能做料与机极直接相碰，否则容易烧坏管子。根据距离和指示阻值的大小，可以大概判断出管子放大倍数(跨导)的大小，并可作为配对跳选管子的参考。如果塑料件靠栅极很近甚或已经接触上时，表头指针仍无反应，说明管子已经坏了，不能使用。使用此法请注意两点：—是塑料件必须由远到近测量意观察表头指示，不可使指针打弯。
值得指出的是，实际上以上的测量是不一定可靠的，只能作为大概参考，因为MOS管的栅极上很容易感应上杂散磁场，使MOS管被触发(增强型)导通成导通程度加强(耗尽型)。
