1、可控硅的主要技术参数
可控硅的阳极到阴极间所加的电压与通过的电流之间的关系叫做伏安特性曲线(如图1所示)，它分为正向特性(第—象限)和反向特性(第三象限)。可控硅的主要参数如下：［
图1 可控硅的伏安特性曲线
1） 转折电压
在控制极开路和正向阻断的情况下，当阳极电压增大到一定程度，可控硅也能导通，曲线突然从A段跳过虚线B段进入曲线C段，此时C段曲线形状类似普通晶体二极管的正向特性。我们把这个导通电压称为可控硅的转折电压UBO。可控硅导通后，阳极电压(管压降)很快跌落下来，大约1V左右，而大部分电压降在了负载上。在实际使用中正向电压大大低于转折电压UBO，否则很容易击穿损坏可控。
2）断态不重复峰值电压UDSM
在控制极开路和定向阻断时，曲线A段弯曲点的电压叫做断态不重复电压。使用中不能接近更不能超过此电压。
3）断态置复(正向阻断)峰值电压UDRM
指在控制极开路和正向阻断的不致使可控硅正向击穿导通的电压，也即可以重复加在可控硅上的安全峰值电压。规定这个电压为断态不重复峰值电压UDSM的80%。断态重复峰值电压也称为正向阻断峰值电压、正向电压或耐压值。如可控硅3CT5的UDRM=30~3000V。
4）反向重复峰值电压
指在控制极开路时不致使可控硅反向击穿导通的电压，也即可以重复加在可控硅上的安全峰值电压。规定这个电压为反向不重复峰值电压URSM的80%。反向重复峰值电压也称为反向峰值电压或反向电压。如可控硅3CT5的UDRM=30~3000V。
５）额定正向平均电流IF
是在环境温度为+40℃时，可控硅导通可连续通过50Hz正弦半波电流的平均值，即正常工作电流(也称通态平均电流)，通常所讲的10A、20A的可控硅元件，就是指它的额定正向平均电流为10A、20A，比如3CT5的IF＝5A。
６）正向平均压降UF
指可控硅通过额定正向平均电流时在阳极与阴极之间电压降的平均值。正向平均电压也称通态平均电压、正向压降或管压降。—般可控硅的正向压降在1V左右，如3CT5的UF=1.2V
７）维持电流IH
指在控制极断开后，可控硅保持导通状态所必须的最小正向电流，一般为几十到一百多毫安，小功率可控硅IH较小，大中功率可控硅IH较大。如3CT5的IH在40mA左右。
８）控制极触发电压VG
指可控硅从阻断变为导通状态时控制极上所加的最小直流电压(也称触发电压)，小功率可控硅的触发电压—般为1~1.5V,大中功率可控硅的触发电压为几到十几伏。如3CT5的VG在3.5v左右。
9）控制极触发电流IG
指在阳极与阴极之间加直流6V电压时，使可控硅完全导通所必需的最小控制极直流电流(也称触发电流)，小功率可控硅的触发电流为几百微安到几毫安，大中功率可控硅的触发电流为几十到几百毫安。如3CT5在50mA左右。
2、可控硅使用注意事项
①外加电压极性要正确，即阳极到阴极之间加正向电压，控制极到阴极之间也加正向电压。
②为了保证可控硅安全工作，应选择额定耐压为实际工作电压的2~3倍，正向平均电流为实际工作电流的1.5~@倍的管子。
③为了保证可控硅可靠地导通．应尽量用大的触发电压和触发电流，因眺电压、电流较大可以相应降低可控硅的转折导通电压。比如额定触发电压为2.5V的，可使用4.5V以上的电压，但为防止PN结烧毁．—般以不超过10V为好。
④焊接或紧固可控硅时，必须保证电气接触良好，否则因侧啪接触电阻就会引起很大的功率消耗。
⑤可控硅的保护方法：一是散热，可控硅是大功率器件，散热是一个突出的问题，规定20A以下的可控硅靠自身散热器自然散热，20A以上的大电流可控硅则必须强迫冷却，其方法有风冷和水冷散热。二是过流保护，虽然在选择可控硅时已留有余量，但也可能出现超过额定值的情况，为此可在可控硅阳极或阴极串联一个熔断器，应选快速熔断器，如RSL、RSO、RSS等型号。
⑥可控硅损坏后的修理：如果是可控硅性能变坏引起误导通，造成电器工作时好时坏，只要确认其它元件无问题，则可暂时拆去可控硅不用，待买到同型号可控硅时再捍上使用；根据可控硅的结构特点和原理，可用合适参数的三极管组成复合管代用；可以选择同型号或相同参数(正反向重复峰值电压、额定正向平均电压、控制极触发电压和电流)的可控硅代换，各种型号的进口可控硅均可用国产可控硅代换，代换时要注意外形尺寸相近，以便安装。
