注：本文中所使用的万用表为指针式，若换为数字式，注意红黑表笔极性正好相反

1、判断引脚极性

方法一：

　　由双向可控硅的内部结构可知，控制极G与主电极T1之间是由—块P型半导体连接的，两电极间的电阻（体电阻）为几十欧姆，根据公特点就可以方便地判断出各电极来。

　　先确定主电极T2：将万用表置在R×10档，用黑表笔接住任—电极，再用红表笔去接另外任一电极，如果头指示为几十欧姆电阻，就说的两表笔所接电极为控制极和主电极T1，那么余下的电极便是主电极T2；如果指针不动，仍停在∞处，应及时调整表笔所接电极，直到测出电阻值为几十欧姆的两电极，从而确定主电权T2为止。

　　再区分控制极G和主电极 T1：现假定两电极中任一为主电极T1，则另一个就为为控制极G，万用表置于R×10挡，用黑表笔接主电极T2（已确定），再用红表禾去接假定的主电极主“T1”，并用红表笔笔尖碰一下G后再离开，如果表针发生偏转，指示在几或几十欧姆上，就说明假定的主电极"T1”为真正的主电极T1，而另一电极也为真正的控制极G；如果表针没有偏转，说明假定是错的，应重新假定T1和G，即让黑表笔仍接T2，而将红表笔接新“T1”，如果判别结呆同上，即对区分出控制极G和主电极T1。

方法二：

　　先确定主电极T2：将万用表置于R×1k档，现假定双向可控硅任意一个脚为主电极“T2”，并用黑表笔接“T2”，再用红表笔去分别触碰另外两个电极，如果指针没有偏转，指示在∞处，就说朋黑表笔所接为主电极T2，这是因为主电极T2与T1和G之间有多个正反相的PN结，它们之间的电阻是很大的；如果红完笔触碰其中的—个电极时指针不偏转，而触碰另一个电极时发生了偏转，说明原来的假定是错的，应重新假定T2，再按上述方法测试判断，直至找到真正的T2为止。

　　找到T2后，剩下的两个电极就是G和T1，由于设计上的需要以及内部结构特点决定，G和T1之间仍然存在正反向电阻特性，只是正反向电阻差别不是很大。将万用表置于R×10档，两表笔与G、T1相接，测试正反向电阻，以阻值小的那次为准，黑表笔接的电极为主电极T1，而红表笔接的电极为控制极G。

 　　测试时请注意，在测量大功率向可控硅时，应尽是量使用低阻档，如不行还可象测试单向可控硅—样，在万用表表笔上串上一节或多节1.5V干电池，使测试更为可靠。

2、判断好坏

方法一：

　　测量极间电阻法。将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆  时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；如果测得T1－G之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。

方法二：

　　检查触发导通能力。万用表置于R×10档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，如图1(b)所示，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线将G与T1(或T2)短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。

图1　判断双向可控硅的触发导通能力

方法三：

　　检查触发导通能力。如图2所示．取一只10uF左右的电解电容器，将万用表置于R×10k档(V电压)，对电解电容器充电3~5s后用来代替图1中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2(b)连接好后进行测试。测试时，电容C的极性可任意连接，同样是碰触一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与“方法二’相同，就证明双向可控硅是好的。

图2　判断双向可控硅的触发导通能力

 　　应用此法判断双向可控硅的触发导通能力更为可靠。由于电解电容器上充的电压较高，使触发信号增大，更利于判断大功率双向可控硅的触发能力。